主要用途
真空磁控濺射制備ITO導電玻璃及柔性ITO導電膜。
物理及化學特性
化 學 式： In2O3/SnO2（可根據客戶要求制作各種成分靶材，例如：90/10，93/7，95/5，97/3，98/2等）
外 觀： 黑色塊狀陶瓷
晶 粒 度： 5~15μm
電 阻 率： 1.2×10-4Ω·cm
線 脹 系 數： 5.8×10-6K-1
相 對 密 度： ≥99%
純 度： ≥99.99%
產品檢測方法
晶 粒 度： 掃描電鏡（SEM）觀察。
純 度： ICP—AES分析測試雜質含量。
密 度： 排水法
